3d x-dram 文章 最新資訊
國產(chǎn)廠商切入下一代存儲技術(shù)：3D DRAM
- 隨著 ChatGPT 等人工智能應(yīng)用的爆發(fā)式增長，全球?qū)λ懔Φ男枨笳灾笖?shù)級態(tài)勢攀升。然而，人工智能的發(fā)展不僅依賴于性能強(qiáng)勁的計算芯片，更離不開高性能內(nèi)存的協(xié)同配合。傳統(tǒng)內(nèi)存已難以滿足 AI 芯片對數(shù)據(jù)傳輸速度的要求，而高帶寬內(nèi)存（HBM）憑借創(chuàng)新的堆疊設(shè)計，成功攻克了帶寬瓶頸、功耗過高以及容量限制這三大關(guān)鍵難題，為 AI 應(yīng)用的高效運(yùn)行提供了重要支撐。但如今，傳統(tǒng) HBM 已經(jīng)受限，3D DRAM 能夠提供更高帶寬。同時還能進(jìn)一步優(yōu)化功耗表現(xiàn)，全球的存儲廠商也普遍將 3D
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汽車應(yīng)用3D-IC：利用人工智能驅(qū)動的EDA工具打破障礙
- 汽車行業(yè)正在經(jīng)歷重大變革，因?yàn)樗捎米詣玉{駛技術(shù)和超互聯(lián)生態(tài)系統(tǒng)等創(chuàng)新。這一變化的核心是對緊湊型、高性能半導(dǎo)體解決方案的需求不斷增長，這些解決方案能夠應(yīng)對日益復(fù)雜的現(xiàn)代汽車架構(gòu)。一項有前途的發(fā)展是三維集成電路 （3D-IC），這是一種創(chuàng)新的半導(dǎo)體設(shè)計方法，有可能重塑汽車市場。通過垂直堆疊多個芯片，3D-IC 提供卓越的性能、帶寬和能源效率，同時克服車輛系統(tǒng)的關(guān)鍵空間和熱限制。然而，盡管 3D-IC 具有潛力，但其設(shè)計和實(shí)施仍面臨重大挑戰(zhàn)。這就是人工智能驅(qū)動的電子設(shè)計自動化 （EDA） 工具發(fā)揮至關(guān)重要作用
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2025年第二季度DRAM營收增長，SK海力士蟬聯(lián)第一
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，2025年第二季度，全球DRAM產(chǎn)業(yè)營收達(dá)到316.3億美元，相比第一季度增長了17.1%。這一增長主要得益于一般型DRAM（Conventional DRAM）合約價的上漲以及出貨量的顯著提升，同時HBM出貨規(guī)模的擴(kuò)大也起到了推動作用。集邦咨詢分析稱，PC OEM、智能手機(jī)以及CSP廠商的采購需求逐步回升，推動DRAM原廠加速去庫存化，多數(shù)產(chǎn)品的合約價已止跌回升。在廠商排名方面，SK海力士、三星和美光繼續(xù)穩(wěn)居前三。三星在第二季度的表現(xiàn)相對平穩(wěn)，其售價和位元出貨量均
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內(nèi)存巨頭，脆弱的鏈接：韓國對日本 HBM 供應(yīng)鏈的依賴
- 根據(jù) ZDNet 的報道，韓國可能在 DRAM 和 NAND 閃存等記憶產(chǎn)品領(lǐng)域領(lǐng)先，但它仍然嚴(yán)重依賴日本的關(guān)鍵材料。該報告援引消息人士的話警告說，除非本地化進(jìn)程更快地推進(jìn)，否則這種依賴可能會成為韓國在人工智能和 HBM 競賽中的結(jié)構(gòu)性風(fēng)險。報告指出，在 SK 海力士的 HBM 價值鏈中，超細(xì) TSV（硅通孔）堆疊結(jié)構(gòu)依賴于由日本公司主要壟斷的關(guān)鍵材料和設(shè)備。報告強(qiáng)調(diào)，用于 HBM 堆疊的底部填充劑——幾乎完全由日本的 NAMICS 提供。由于替代方案有限，本地化進(jìn)展緩慢。此外，SK
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實(shí)現(xiàn)120層堆疊，下一代3D DRAM將問世
- 高密度 3D DRAM 可能即將到來。
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2025年第二季度全球DRAM市場分析
- 在AI需求爆發(fā)與高價值產(chǎn)品滲透的雙重推動下，2025年第二季度全球DRAM市場實(shí)現(xiàn)量價齊升。根據(jù)CFMS最新數(shù)據(jù)，二季度市場規(guī)模環(huán)比增長20%至321.01億美元，同比增長37%，創(chuàng)歷史季度新高。頭部廠商中，SK海力士憑借HBM3E及高容量DDR5的先發(fā)優(yōu)勢，二季度DRAM銷售收入達(dá)122.71億美元，環(huán)比增長25.1%，市場份額提升至38.2%，連續(xù)第二個季度穩(wěn)居全球第一，并進(jìn)一步拉開與三星的差距。· 三星以107.58億美元收入位列第二，環(huán)比增長13%，市場份額33.5%；· 美光科技收入70.71億
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SK海力士在IEEE VLSI 2025上展示未來DRAM技術(shù)路線圖
- SK海力士公司今天宣布，在日本京都舉行的20251年IEEE VLSI研討會上，該公司提出了未來30年的DRAM新技術(shù)路線圖和可持續(xù)創(chuàng)新的方向。SK海力士首席技術(shù)官（CTO）車善勇于6月10日發(fā)表了題為“推動DRAM技術(shù)創(chuàng)新：邁向可持續(xù)未來”的全體會議。首席技術(shù)官 Cha 在演講中解釋說，通過當(dāng)前的技術(shù)平臺擴(kuò)展來提高性能和容量變得越來越困難。“為了克服這些限制，SK海力士將在結(jié)構(gòu)、材料和組件方面進(jìn)行創(chuàng)新，將4F2 VG（垂直門）平臺和3D DRAM技術(shù)應(yīng)用于10納米級或以下的技術(shù)。4F2 VG平臺是下一代
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中國研究團(tuán)隊在半導(dǎo)體領(lǐng)域取得新突破，基于 DRAM 原理
- 目前，在自動駕駛、智能家居系統(tǒng)和工業(yè)控制等領(lǐng)域，對邊緣智能硬件的需求日益增加，以在本地處理傳感器和智能設(shè)備生成的實(shí)時環(huán)境數(shù)據(jù)，從而最小化決策延遲。能夠精確模擬各種生物神經(jīng)元行為的神經(jīng)形態(tài)硬件有望推動超低功耗邊緣智能的發(fā)展。現(xiàn)有研究已探索具有突觸可塑性（即通過自適應(yīng)變化來增強(qiáng)或減弱突觸連接）的硬件，但要完全模擬學(xué)習(xí)和記憶過程，多種可塑性機(jī)制——包括內(nèi)在可塑性——必須協(xié)同工作。為解決這一問題，由復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院包文忠教授、集成電路與微納電子創(chuàng)新學(xué)院周鵬教授以及香港理工大學(xué)蔡陽教授領(lǐng)銜的聯(lián)合研究團(tuán)隊提出了一種
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鎧俠第九代BiCS FLASH? 512Gb TLC存儲器開始送樣
- 全球存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠宣布，其采用第九代?BiCS FLASH??3D?閃存技術(shù)的?512Gb TLC存儲器已開始送樣（1）。該產(chǎn)品計劃于?2025?年投入量產(chǎn)，旨在為中低容量存儲市場提供兼具卓越性能與能效的解決方案。此外，這款產(chǎn)品也將集成到鎧俠的企業(yè)級固態(tài)硬盤中，特別是需要提升?AI?系統(tǒng)?GPU?性能的應(yīng)用。為應(yīng)對尖端應(yīng)用市場的多樣化需求，同時提供兼具投資效益與競爭力的產(chǎn)品，鎧俠將繼續(xù)推行“雙軌并行
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內(nèi)存現(xiàn)貨價格更新：DDR4 價格下滑放緩，韓國內(nèi)存制造商引發(fā)大幅漲價
- 根據(jù) TrendForce 最新內(nèi)存現(xiàn)貨價格趨勢報告，關(guān)于 DDR4，由于兩家主要韓國供應(yīng)商對消費(fèi)級 DRAM 芯片實(shí)施了顯著的月度價格上調(diào)，之前的價格下跌趨勢有所緩解。至于 NAND 閃存，高容量產(chǎn)品受到買方和賣方預(yù)期價格差異的限制，實(shí)際交易中變得稀缺。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價格：關(guān)于 DDR4 產(chǎn)品的現(xiàn)貨價格，由于兩家主要韓國供應(yīng)商對消費(fèi)級 DRAM 芯片實(shí)施了大幅度的月度漲價，之前的價格下跌趨勢有所緩和。目前，DDR4 市場顯示現(xiàn)貨價格已停止下跌，交易量有明顯增加。轉(zhuǎn)向 DDR5 產(chǎn)品，隨著合約價
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DDR6 預(yù)計將于 2027 年大規(guī)模應(yīng)用，據(jù)報道內(nèi)存巨頭已最終完成原型設(shè)計
- 隨著 JEDEC 于 7 月 9 日發(fā)布 LPDDR6 標(biāo)準(zhǔn)，內(nèi)存巨頭正競相滿足來自移動和 AI 設(shè)備的激增需求。值得注意的是，據(jù)行業(yè)消息人士援引 商業(yè)時報 的報道，DDR6 預(yù)計將于 2027 年進(jìn)入大規(guī)模應(yīng)用。領(lǐng)先的 DRAM 制造商，包括三星、美光和 SK 海力士，已經(jīng)啟動了 DDR6 開發(fā)，重點(diǎn)關(guān)注芯片設(shè)計、控制器驗(yàn)證和封裝模塊集成。正如商業(yè)時報所述，三大主要 DRAM 制造商已完成 DDR6 原型芯片設(shè)計，現(xiàn)在正與內(nèi)存控制器和平臺參與者如英特爾和 AMD 合作進(jìn)行接口測試。在
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中國CXMT和YMTC推動DRAM和NAND生產(chǎn)
- 中國存儲半導(dǎo)體公司長鑫存儲科技 （CXMT） 和長江存儲科技 （YMTC） 正在加強(qiáng)其在全球存儲半導(dǎo)體市場的影響力，在大約一年后將其產(chǎn)能幾乎翻了一番。自去年以來，中國內(nèi)存開始在三星電子和 SK 海力士主導(dǎo)的通用 DRAM 市場中嶄露頭角，從傳統(tǒng) DRAM 開始，在國內(nèi)市場需求和政府補(bǔ)貼的推動下，中國內(nèi)存正在提高其競爭力。此外，它還對高帶寬內(nèi)存 （HBM） 和 300 層 3D NAND 閃存等先進(jìn)產(chǎn)品線提出了挑戰(zhàn)，縮小了與三星電子和 SK 海力士的差距。根據(jù) ChosunBiz 21 日獲得的 Omdia
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SK 海力士據(jù)報道將 DDR4/ LPDDR4X 合同價格上調(diào) 20%，因 Q3 需求保持強(qiáng)勁
- 隨著內(nèi)存制造商逐步淘汰 DDR4，預(yù)計出貨將在 2026 年初結(jié)束，合同價格持續(xù)上漲。據(jù)中國的 華爾街見聞 報道，SK 海力士已將 DDR4 和 LPDDR4X 內(nèi)存的合同價格上調(diào)約 20%，標(biāo)志著新一輪價格上漲。這種趨勢與 TrendForce 的發(fā)現(xiàn)相呼應(yīng)，該機(jī)構(gòu)指出，三大主要 DRAM 供應(yīng)商正在將產(chǎn)能重新分配給高端產(chǎn)品，并逐步淘汰 PC、服務(wù)器級 DDR4 和移動 LPDDR4X。因此，據(jù) TrendForce 預(yù)測，2025 年第三季度主流 DRAM 的平
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在EDA禁令的33天里，四大EDA巨頭更關(guān)注3D IC和數(shù)字孿生
- 從5月29日美國政府頒布對華EDA禁令到7月2日宣布解除，33天時間里中美之間的博弈從未停止，但對于EDA公司來說，左右不了的是政治禁令，真正贏得客戶的還是要靠自身產(chǎn)品的實(shí)力。作為芯片設(shè)計最前沿的工具，EDA廠商需要深刻理解并精準(zhǔn)把握未來芯片設(shè)計的關(guān)鍵。?人工智能正在滲透到整個半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中，迫使 AI 芯片、用于創(chuàng)建它們的設(shè)計工具以及用于確保它們可靠工作的方法發(fā)生根本性的變化。這是一場全球性的競賽，將在未來十年內(nèi)重新定義幾乎每個領(lǐng)域。在過去幾個月美國四家EDA公司的高管聚焦了三大趨勢，這些趨
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